計畫摘要

• 奈米碳管於GaN 晶粒塗佈製程開發。
• 600V GaN Schottky Wafer processes 實作開發。
• 600V GaN Schottky Chip結構與不同應用溫度下電氣特性模擬(VF,VB,IR,tRR)
• 600V GaN Schottky 晶粒電氣特性量測與分析。
• 支援Silicon Base Diode結構與電氣特性及生產流程模擬等項目。