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功率GaN蕭基二極體實作及相關特性研究
英屬開曼群島商虹揚發展科技股份有限公司
計畫名稱
功率GaN蕭基二極體實作及相關特性研究
專案計畫
民間企業產學合作計畫
計畫期程
107/01/01~107/12/31
總經費
NT. 1,00
0,000
計畫摘要
奈米碳管於GaN 晶粒塗佈製程開發。
600V GaN Schottky Wafer processes 實作開發。
600V GaN Schottky Chip結構與不同應用溫度下電氣特性模擬(VF,VB,IR,tRR)
600V GaN Schottky 晶粒電氣特性量測與分析。
支援Silicon Base Diode結構與電氣特性及生產流程模擬等項目。