英屬開曼群島商虹揚發展科技股份有限公司

功率GaN蕭基二極體實作及相關特性研究

計畫名稱

功率GaN蕭基二極體實作及相關特性研究


專案計畫

民間企業產學合作計畫


計畫期程

107/01/01~107/12/31


總經費

NT. 1,000,000


計畫摘要

  • 奈米碳管於GaN 晶粒塗佈製程開發。
  • 600V GaN Schottky Wafer processes 實作開發。
  • 600V GaN Schottky Chip結構與不同應用溫度下電氣特性模擬(VF,VB,IR,tRR)
  • 600V GaN Schottky 晶粒電氣特性量測與分析。
  • 支援Silicon Base Diode結構與電氣特性及生產流程模擬等項目。